特許

J-GLOBAL ID：200903017080241300

半導体発光素子

発明者： 小沢 正文 ,  中村 文彦 ,  河合 弘治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-188569
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022586
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 低しきい電流密度かつ長寿命の窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 c面サファイア基板1上に、n型GaN層2、n型InGaN光吸収層3、n型AlGaNクラッド層4、n型GaN光導波層5、InGaNからなる活性層6、p型GaN光導波層7、p型AlGaNクラッド層8、p型InGaN光吸収層9およびp型GaN層10を順次積層してGaN系半導体レーザを構成する。n型InGaN光吸収層3およびp型InGaN光吸収層9のIn組成比は、InGaNからなる活性層6のIn組成比よりも大きくし、これらのn型InGaN光吸収層3およびp型InGaN光吸収層9により発光波長の光が吸収されるようにする。

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、発光波長の光を吸収する光吸収層を少なくとも一層有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235012   出願人：ローム株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-027522   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-039646   出願人：株式会社東芝