特許
J-GLOBAL ID:200903017106677269
配線基板の製造方法及び配線基板
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-144803
公開番号(公開出願番号):特開2000-332410
出願日: 1999年05月25日
公開日(公表日): 2000年11月30日
要約:
【要約】【課題】 ビア内部にボイドを巻き込むことがない上、簡易に、低コストで形成可能な配線基板の製造方法及び配線基板を提供すること。【解決手段】 両面に接着剤層2、2’が形成された絶縁性基板1の一方の面に第1銅箔層3を積層し、絶縁性基板1の第1銅箔層3と反対側の面に第1銅箔層3の絶縁性基板1側の面の一部が露出するよう貫通孔4を穿孔する。次に、電解半田メッキにて貫通孔4内に充填半田体5(ビア)を形成し、絶縁性基板1の第1銅箔層3と反対側の面に第2銅箔層6を積層する。次に、第1銅箔層3及び第2銅箔層6にエッチングを施してパターンを形成し、次いで、第1銅箔層3及び第2銅箔層6の表面に無電解ニッケル/金メッキ層7を形成する。そして、第1銅箔層3及び第2銅箔層6の表面にバンプとしての半田層8を形成し、配線基板10として完成する。
請求項(抜粋):
一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を有する絶縁性基板と、該絶縁性基板の一方の面に前記貫通孔を塞ぐよう積層された第1導体層と、からなる導体層積層基板の前記第1導体層側の面を覆うようレジスト層を形成し、前記貫通孔内で露出した前記第1導体層の表面に電解半田メッキを施し、前記貫通孔内に半田を充填して、充填半田体を形成する第1工程と、前記レジスト層を除去した後、前記導体層積層基板の前記第1導体層と反対側の面に、前記充填半田体と直接接触するよう、加熱された導体箔からなる第2導体層を接着剤にて接着し、積層する第2工程と、前記第1導体層及び第2導体層の表面にエッチングレジスト層を形成した後、前記第1導体層及び第2導体層にエッチングを施し、パターン形成する第3工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/40
, H05K 1/03 610
FI (2件):
H05K 3/40 K
, H05K 1/03 610 N
Fターム (21件):
5E317AA04
, 5E317AA24
, 5E317BB03
, 5E317BB12
, 5E317BB13
, 5E317BB15
, 5E317BB18
, 5E317CC13
, 5E317CC15
, 5E317CC22
, 5E317CC32
, 5E317CC33
, 5E317CC38
, 5E317CC52
, 5E317CD15
, 5E317CD21
, 5E317CD25
, 5E317CD32
, 5E317GG03
, 5E317GG05
, 5E317GG17
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-346429
出願人:山一電機株式会社
-
半導体パッケージ用プリント回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-311176
出願人:住友ベークライト株式会社
-
多層回路基板
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-072214
出願人:日東電工株式会社
前のページに戻る