特許
J-GLOBAL ID:200903017111478886

半導体処理装置及び半導体処理装置の診断方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 鈴木 市郎 ,  武 顕次郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-234802
公開番号(公開出願番号):特開2004-031881
出願日: 2002年08月12日
公開日(公表日): 2004年01月29日
要約:
【課題】ウエットクリーニング後の処理室再組み立ての不都合、あるいは反応生成物の堆積、部品の削れ等の処理室の状況を診断することのできる半導体処理装置及び半導体処理装置の診断方法を提供する。【解決手段】真空処理室3内にプラズマ15を生成するプラズマ生成装置及び前記真空処理室内に処理ガス12を導入する処理ガス供給手段13を備え、前記真空処理室内に配置した試料8にプラズマ処理を施す半導体処理装置であって、前記半導体処理装置は、該半導体処理装置に機械的振動を印加する発振手段28、及び該発振手段により前記半導体処理装置に生起した機械的振動を検出する受信手段29を備えた。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成装置及び前記真空処理室内に処理ガスを導入する処理ガス供給手段を備え、前記真空処理室内に配置した試料にプラズマ処理を施す半導体処理装置であって、 前記半導体処理装置は、該半導体処理装置に機械的振動を印加する発振手段、及び該発振手段により前記半導体処理装置に生起した機械的振動を検出する受信手段を備えたことを特徴とする半導体処理装置。
IPC (2件):
H01L21/3065 ,  H01L21/205
FI (2件):
H01L21/302 101H ,  H01L21/205
Fターム (13件):
4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030HA12 ,  4K030KA39 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004CB01 ,  5F004CB20 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045EB05 ,  5F045EH14
引用特許:
審査官引用 (5件)
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