特許
J-GLOBAL ID：200903017158594540
干渉変調画素とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
正林 真之
, 藤田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-100510
公開番号（公開出願番号）：特開2005-078068
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 干渉変調画素をアクティブとしたときに、上部電極が下部電極の方へ引っ張られるのを防止する。【解決手段】 疎水性層が干渉変調画素の下部電極のキャビティ側の面を覆う。その結果、疎水性層は、下部電極の親水性面が水分子を吸着するのを防ぐ。【選択図】 図2D
請求項（抜粋）：
干渉変調画素の製造方法であって、
透明基板上に第1の電極層を形成するステップで、該第1の電極層の最上層を絶縁層とするステップと、
前記絶縁層上に電気防食層を形成するステップと、
前記電気防食層と前記第1の電極層内に少なくとも2つの第1の開口を形成し、第1の電極の境界を定めて画成するステップで、該第1の電極が前記第1の電極層でできているステップと、
前記電気防食層上と前記第1の開口内に感光性材料を被覆するステップと、
前記感光性材料をパターン形成して前記第1の開口内に支持体を形成するステップと、
前記電気防食層上および前記支持体上に第2の電極層を形成するステップと、
前記第2の電極層内に少なくとも二つの第2の開口を形成して第2の電極を画成するステップで、該第2の電極が前記第2の電極層からできており、該二つの第2の開口の向きが前記二つの第1の開口に垂直であるステップと、
前記電気防食層を取り除くステップと、
前記絶縁層上に疎水性層を形成するステップと、を含むことを特徴とする干渉変調画素の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
2H041AA05
, 2H041AA21
, 2H041AA23
, 2H041AB16
, 2H041AC06
, 2H041AZ08
