固体撮像装置とその製造方法および撮像装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-259501
公開番号（公開出願番号）：特開2009-088430
出願日： 2007年10月03日
公開日（公表日）： 2009年04月23日
要約：

【課題】周辺回路部における負の固定電荷を有する膜の影響を排除して、周辺回路部の正常の動作を可能にする。【解決手段】半導体基板11に形成された入射光量を電気信号に変換する複数のセンサ部12と、前記センサ部12の側方の前記半導体基板11に形成された周辺回路部14とを有する固体撮像装置1であって、前記センサ部12の光入射側の前記半導体基板11上に前記センサ部12の受光面12sにホール蓄積層23を形成する負の固定電荷を有する膜22が形成されていて、前記周辺回路部14と前記負の固定電荷を有する膜22との間に、N型不純物領域16が形成されていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された入射光量を電気信号に変換する複数のセンサ部と、前記センサ部の側方の前記半導体基板に形成された周辺回路部とを有する固体撮像装置であって、前記センサ部の光入射側の前記半導体基板上に、前記センサ部の受光面にホール蓄積層を形成する負の固定電荷を有する膜が形成されていて、前記周辺回路部と前記負の固定電荷を有する膜との間に、N型不純物領域が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A , H01L31/10 A , H04N5/335 R

Fターム (30件)：

4M118BA14 , 4M118CA01 , 4M118CA04 , 4M118CA32 , 4M118DD04 , 4M118DD12 , 4M118FA25 , 4M118GB03 , 4M118GB07 , 4M118GB09 , 4M118GC07 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024AX01 , 5C024BX01 , 5C024CX32 , 5C024CY47 , 5C024DX01 , 5C024EX43 , 5C024EX52 , 5C024GX03 , 5F049MB03 , 5F049NA20 , 5F049NB03 , 5F049NB05 , 5F049RA03 , 5F049RA08 , 5F049UA13 , 5F049UA14 , 5F049UA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-144886 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

固体撮像装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-233760 出願人：ソニー株式会社
特開平4-343472
特開平1-268164

全件表示

前のページに戻る