特許
J-GLOBAL ID：200903050841001004
固体撮像装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-062714
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245499
出願日： 2005年03月07日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 飽和電荷量(Qs)の低下や感度の低下をさせることなく、画素サイズの微細化を可能にする固体撮像装置を提供する。【解決手段】 半導体基板42の一方の面に、該基板42中に形成された光電変換素子PDからの信号を読み出す読出し回路(Tr1 ,Tr2 )が形成され、半導体基板42の他方の面から入射光Lを取り込む裏面照射型の固体撮像装置41であって、読出し回路(Tr1 ,Tr2)の少なくとも一部の下に形成された光電変換領域部52c1 で発生した電荷eを、光電変換素子PD内に形成された電界により、光電変換素子PDの基板42の一方の面側の電荷蓄積領域52aに集めるようにして成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の一方の面に、該基板中に形成された光電変換素子からの信号を読み出す読出し回路が形成され、前記半導体基板の他方の面から入射光を取り込む裏面照射型の固体撮像装置であって、
前記読出し回路の少なくとも一部の下に形成された光電変換領域部で発生した電荷を、前記光電変換素子内に形成された電界により、前記光電変換素子の前記基板の一方の面側の電荷蓄積領域に集めるようにして成る
ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4M118AA01
, 4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DA23
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA25
, 4M118GA02
, 4M118GC07
, 4M118GD04
