特許
J-GLOBAL ID：200903093099759473

固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
神戸 秀夫

神戸 秀夫 について

, 
江崎 孝之

江崎 孝之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-233760
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054263
出願日： 2004年08月10日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させることができ、かつ、暗電流抑制機能と量子効率ロスの防止機能を備えた固体撮像装置を提供する。【解決手段】受光部4が形成された半導体基板1の裏面には、酸化シリコン膜8と、窒化シリコン膜9が積層されている。酸化シリコン膜8と窒化シリコン膜9の界面あるいは窒化シリコン膜9の膜中には、負電荷(電子)が蓄積されている。この負電荷により、半導体基板1において、裏面付近に正孔蓄積層10が誘起される。酸化シリコン膜8は15nm〜40nmの厚さであり、窒化シリコン膜9は20nm〜50nmの厚さである。酸化シリコン膜8と窒化シリコン膜9の積層膜を用いた光の多重干渉効果により、酸化シリコン膜8を単独で用いた場合に比べて、入射光に対する透過率が向上する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の第1面側に画素回路が形成され、第2面側から光が入射する固体撮像装置であって、 前記基板に形成され、入射光量に応じて信号電荷を生成して当該信号電荷を蓄積する受光部と、 前記基板の第2面上に形成された透明性の第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1絶縁膜との界面あるいは膜中に前記信号電荷と同じ極性の電荷を保持する透明性の第2絶縁膜とを有し、 前記第1絶縁膜のみを用いた場合と比べて、光の多重干渉効果により入射光に対して高い透過率が得られるように、前記第1絶縁膜および前記第2絶縁膜の膜厚が規定された 固体撮像装置。
IPC (5件)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/14
FI (5件)：
H01L27/14 B ,  H04N5/335 R ,  H01L27/14 A ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 D
Fターム (19件)：
4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX07 ,  5C024GX24 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ13
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM