特許
J-GLOBAL ID：200903017236137991

CVD装置の反応室のクリーニング方法およびコーティング方法

発明者：
福田 加一

福田 加一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163683
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031752
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 CVD装置の反応室のクリーニングおよびコーティングを広い範囲に効率よくおこなう方法を得ることを目的とする。【構成】 プラズマCVD装置の反応室内でプラズマ放電により基体に薄膜を成膜する際に反応室内に付着した薄膜をエッチング性ガスのプラズマ放電により除去する反応室のクリーニングまたはクリーニング後のコーティングを、ガス圧力または電極間隔の異なる複数段階に分けておこない、この複数段階のガスの圧力差を0.1Torr以上、4Torr以下とするか、または複数段階のプラズマ放電の電極間隔差を3mm以上、40mm以下とした。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD装置の反応室内でプラズマ放電により基体に薄膜を成膜する際に上記反応室内に付着した薄膜を所定圧力のエッチング性ガスのプラズマ放電により除去するCVD装置の反応室のクリーニング方法において、上記エッチング性ガスのプラズマ放電をエッチング性ガスの圧力が異なる複数段階に分けておこない、この複数段階のエッチング性ガスの圧力差を0.1Torr以上、4Torr以下としたことを特徴とするCVD装置の反応室のクリーニング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500
引用特許：
審査官引用 (4件)
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