特許
J-GLOBAL ID:200903017247997410
Pb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法及びPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
重野 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-318514
公開番号(公開出願番号):特開2001-139329
出願日: 1999年11月09日
公開日(公表日): 2001年05月22日
要約:
【要約】【課題】 基板に金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布した後、加熱することにより該金属酸化物を結晶化させてPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜を形成する方法において、450°C以下の低温で金属酸化物の結晶化を可能とする。【解決手段】 Pb-Ti系金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布した後、Pb-Zr-Ti系金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布する工程を有するPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法。1回の結晶化工程で形成される金属酸化物薄膜の厚さが結晶化後の膜厚で30nm以下となるように、結晶化工程を1回以上行うPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法。
請求項(抜粋):
基板に金属酸化物薄膜形成用原料溶液を塗布した後、加熱することにより該金属酸化物を結晶化させてPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜を形成する方法において、1回の結晶化工程で形成される金属酸化物薄膜の厚さが結晶化後の膜厚で30nm以下となるように、結晶化工程を1回以上行うことを特徴とするPb系ペロブスカイト型金属酸化物薄膜の形成方法。
IPC (5件):
C01G 1/00
, C01G 25/00
, H01B 3/12 301
, H01L 41/187
, H01L 41/24
FI (5件):
C01G 1/00 B
, C01G 25/00
, H01B 3/12 301
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/22 A
Fターム (16件):
4G048AA03
, 4G048AB02
, 4G048AC02
, 4G048AD02
, 4G048AD08
, 4G048AE05
, 5G303AA10
, 5G303AB15
, 5G303AB20
, 5G303BA03
, 5G303CA01
, 5G303CB15
, 5G303CB25
, 5G303CB35
, 5G303CB39
, 5G303DA02
引用特許:
引用文献:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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