陽極酸化の制御方法および陽極酸化装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西川惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-365716
公開番号（公開出願番号）：特開2000-192295
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：

【要約】【課題】陽極酸化による半導体層の多孔質化を過不足なく行うことができる陽極酸化の制御方法および陽極酸化装置を提供する。【解決手段】陽極酸化の対象であって電解液1に表面の一部が接する多結晶シリコン薄膜5の裏面側のn形単結晶シリコン基板3を正極とし、電解液1に浸された白金を負極4とする。n形単結晶シリコン基板3と負極4との間に電流源6から定電流を流すと、多結晶シリコン薄膜5が表面から深さ方向に向かって多孔質化される。また、電圧検出部11は、n形単結晶シリコン基板3と負極4との間の電位差を検出し、制御部12は、電圧検出部11により検出した電位差が低下し始めた時点で電流源6をオフさせることにより陽極酸化を終了させる。

請求項（抜粋）：

陽極酸化の対象であって電解液に少なくとも表面の一部が接する半導体層の裏面側の導電性材料を正極とし、電解液に浸された負極との間に定電流を流すことにより陽極酸化を行う際に、導電性材料と負極との間の電位差が低下し始めた時点で陽極酸化を終了させることを特徴とする陽極酸化の制御方法。

IPC (2件)：

C25D 11/32 , H01L 21/3063

FI (2件)：

C25D 11/32 , H01L 21/306 L

Fターム (5件)：

5F043AA10 , 5F043BB03 , 5F043DD14 , 5F043EE14 , 5F043FF10

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭56-056854
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190389 出願人：日本電装株式会社
発光シリコン
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-101197 出願人：イギリス国

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