特許
J-GLOBAL ID：200903017368007965

強誘電体材料及び強誘電体メモリ

発明者：
樋山 邦夫

樋山 邦夫 について

, 
坪井 秀樹

坪井 秀樹 について

, 
岡田 升宏

岡田 升宏 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173274
公開番号（公開出願番号）：特開2000-007430
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：
【要約】【課題】 疲労特性を向上させることができると共に、キャパシタ絶縁膜として使用される際のキャパシタ電極の形成を容易なものにすることができる強誘電体材料及び強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 強誘電体材料はPbyZr(1-x)TixO3及びLiを含有する組成を有し、xの値は0.3乃至0.7、yの値が0.9乃至1.1である。また、強誘電体メモリは、この強誘電体材料からなり膜厚が50乃至500nmであるキャパシタ絶縁膜を有する。
請求項（抜粋）：
PbyZr(1-x)TixO3及びLiを含有する組成を有することを特徴とする強誘電体材料。
IPC (8件)：
C04B 35/49 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
C04B 35/49 B ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
Fターム (36件)：
4G031AA01 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  5F001AA17 ,  5F001AD12 ,  5F001AD33 ,  5F001AD41 ,  5F001AF07 ,  5F001AG30 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083MA01 ,  5F083MA17 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB16 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39
引用特許：
審査官引用 (9件)
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