スパッタリング装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-099156
公開番号（公開出願番号）：特開2002-356771
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】メンテナンス時間を短くし、高い生産性を実現し、膜剥がれを抑制してパーティクルの発生を低減し、歩留まりを向上したスパッタリング装置を提供する。【解決手段】このスパッタリング装置は、容器11、ターゲット16、基板ホルダ41、ガス供給機構25、ターゲットに高周波を与える高周波供給機構18、基板42を固定する静電吸着機構を備えている。さらに特徴部として、天井部12と筒形側壁部13を含みかつ冷却作用または加熱作用を生じる温度調整装置を備える上記の容器11において、側壁部に対して中間アダプタ31を介して取り付けられるチャンバシールド34が備えられている。

請求項（抜粋）：

真空容器と、この容器内に配置されたターゲットと、このターゲットに対向する位置に設けられた基板ホルダと、前記容器の内部にガスを供給するガス供給機構と、前記ターゲットに電力を与える電力供給機構を備えるスパッタリング装置において、前記容器は、容器側壁部とターゲット支持部とを含み、かつ温度調整装置を備え、前記容器側壁部の内面を覆うように配置された中間アダプタと、前記中間アダプタに固定され、前記中間アダプタの内面を覆う内面シールド部材と、を備えることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/34 T , C23C 14/34 C , H01L 21/285 S

Fターム (11件)：

4K029CA05 , 4K029DA01 , 4K029DC01 , 4K029DC20 , 4K029DC35 , 4K029EA00 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104DD39

引用特許：

審査官引用 (7件)

スパッタ方法およびスパッタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-105250 出願人：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
特開昭62-083467
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-128263 出願人：株式会社日立製作所

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