窒化物半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-140760
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335052
出願日： 2001年05月10日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】【課題】 375nmの短波長域において、発光効率に優れた素子構造のレーザ素子をえる。【解決手段】第1導電型の下部クラッド層13と、第2導電型の上部クラッド層14との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、前記下部クラッド層、上部クラッド層の少なくとも一方に、AlとInとを含む窒化物半導体を有する第1の層25、32が設けられていることを特徴とする窒化物半導体素子。この構成により、各クラッド層、光ガイド層にAlGaNを用いた素子構造において、結晶性悪化、特にクラックの発生層を抑制できる。また、クラッド層内の第1の層26、31よりも屈折率の小さい第1の層とすることで光の閉込めに優れた素子とできる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の下部クラッド層と、第2導電型の上部クラッド層との間に、活性層を有する窒化物半導体素子において、前記下部クラッド層、上部クラッド層の少なくとも一方に、AlとInとを含む窒化物半導体を有する第1の層が設けられていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/205

Fターム (26件)：

5F045AA02 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045CA12 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045DA67 , 5F045DB01 , 5F073AA11 , 5F073AA74 , 5F073AA77 , 5F073AA83 , 5F073BA05 , 5F073BA06 , 5F073CA17 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073CB22 , 5F073DA07 , 5F073DA32 , 5F073EA05

引用特許：

審査官引用 (10件)

p型III族窒化物半導体および半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-122727 出願人：株式会社リコー
半導体レーザ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-347303 出願人：シャープ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-343425 出願人：アリマオプトエレクトロニクスコーポレーション

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