特許

J-GLOBAL ID：200903017469004169

光応答型トランジスタ

発明者： 三宅 康之 ,  星野 浩一
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150446
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340827
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】新規な構成にて光に対して高速動作させるとともに感度性能を向上させることができる光応答型トランジスタを提供する。【解決手段】半絶縁性InP基板11の上に、i-In0.52Al0.48Asバッファ層12、i-In0.80Ga0.20As電子蓄積層13、i-In0.52Al0.48Asゲートコンタクト層15、i-In0.53Ga0.47As光吸収用半導体層16、i-In0.52Al0.48Asゲートコンタクト層17、In0.53Ga0.47Asキャップ層18が積層されている。キャップ層18の上面にはソース電極20およびドレイン電極22がオーム特性を示すように形成されている。ゲート電極19はショットキー接合をするようにキャップ層18をエッチングによって削り、In0.52Al0.48Asゲートコンタクト層17と接触させている。

請求項（抜粋）：

基板の上に、電子移動度が高い半導体による電子蓄積層および電子供給層が配置されるとともに、ゲートコンタクト層にショットキー接合するゲート電極が配置され、ゲート電極への印加電圧によって前記電子蓄積層中の電子数を制御する光応答型トランジスタであって、前記ゲートコンタクト層の内部に、所定の光を吸収する光吸収用半導体層を配置したことを特徴とする光応答型トランジスタ。

Fターム (13件)：

5F049MA14 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049PA14 ,  5F049QA16 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ13 ,  5F049SZ16 ,  5F049UA07 ,  5F049WA01

引用特許：

出願人引用 (7件)

• 特開平4-123473
  
• 特開平4-276667
  
• 光検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-296046   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭62-179163
  
• 特開平1-114082
  
• 受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130874   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-111465   出願人：三菱電機株式会社