特許
J-GLOBAL ID:200903017513828530

遷移金属カルコゲナイドのトポロジカル結晶体及びその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-340094
公開番号(公開出願番号):特開2004-175579
出願日: 2002年11月22日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】特異な物性を示す遷移金属カルコゲナイドについて、その物性に応じた効果を発揮できるトポロジカルな形状・構造の結晶体を提供する。【解決手段】S、Se、Teなどのカルコゲン元素及びNb、Ta、Zr、Ti、Hf、WなどのIVb、Vb又はVI族遷移元素の共存する雰囲気中でカルコゲン元素の微小液滴を凝縮させて懸濁状態で循環させることにより、雰囲気中で形成された遷移金属カルコゲナイドの微小ホイスカーをカルコゲン元素の微小液滴の表面張力によって吸着させ、液滴表面に巻きつくループとして結晶を育成させることにより、ひねりが0、π又は2πのループ状結晶体とする。ループはリボン状の開ループ又は閉ループとなる。遷移金属カルコゲナイドのトポロジカル結晶体は、その物性をマクロ構造のループに於いて保持しており、SQUIDなどの量子素子などに応用できる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
カルコゲン元素とIVb、Vb又はVIb族遷移金属元素との共存する雰囲気中でカルコゲン元素の微小液滴表面に沿って液滴表面に巻き付くループとして、遷移金属カルコゲナイドの結晶を育成させることにより、ひねりがnπ(ただし、n=0、1,2の整数)のループ状結晶体とすることを特徴とする、遷移金属カルコゲナイドのトポロジカル結晶体の形成方法。
IPC (8件):
C01G33/00 ,  C01B19/04 ,  C01G23/00 ,  C01G25/00 ,  C01G27/00 ,  C01G35/00 ,  C01G41/00 ,  C30B29/66
FI (10件):
C01G33/00 B ,  C01G33/00 Z ,  C01B19/04 B ,  C01G23/00 D ,  C01G23/00 Z ,  C01G25/00 ,  C01G27/00 ,  C01G35/00 Z ,  C01G41/00 Z ,  C30B29/66
Fターム (18件):
4G047CA01 ,  4G047CA03 ,  4G047CB05 ,  4G047CD01 ,  4G047CD07 ,  4G048AA01 ,  4G048AA07 ,  4G048AB01 ,  4G048AB02 ,  4G048AD04 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4G077AA04 ,  4G077AA10 ,  4G077BE25 ,  4G077CC06 ,  4G077DA20 ,  4G077HA20
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 特開昭52-078793
  • ZnSe単結晶の成長方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-211338   出願人:住友電気工業株式会社
  • 単結晶の気相成長方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-162487   出願人:石田明広, 藤安洋, 浜松ホトニクス株式会社
審査官引用 (3件)
  • 特開昭52-078793
  • ZnSe単結晶の成長方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-211338   出願人:住友電気工業株式会社
  • 単結晶の気相成長方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-162487   出願人:石田明広, 藤安洋, 浜松ホトニクス株式会社

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