レジスト除去装置及びレジスト除去方法、並びにそれを用いて製造した半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：松山允之 , 日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-070852
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260060
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】水素ガスを用いたレジスト除去において、低誘電率絶縁膜の比誘電率の低減とレジスト除去速度の増大を可能にする。【解決手段】チャンバ21内の回転テーブル22上にウエハ31を載置し、ガス導入口32より水素混合ガスを放電管25に導入し、μ波27を導波管28を通して放電管25内に供給し上記混合ガスをプラズマ励起させ水素活性種を生成する。そして水素原子あるいは水素分子の中性ラジカル(水素ラジカル)をガス輸送管23からチャンバ21内に導入させウエハ31表面のレジストマスクを除去する。ここで、回転テーブル22を加熱し温度制御する基板加熱系34によりウエハ31の温度を200°C〜400°Cの範囲に設定しておく。このレジスト除去後の処理ガスはガス排出口33から排気系30によりチャンバ21外に排出する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

水素ガスを含む原料ガスのプラズマ励起により生成する水素活性種を用い被処理基板上のレジスト膜をエッチング処理するレジスト除去装置において、前記水素ガスのプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部で発生した水素プラズマが前記被処理基板を照射しないように引き離して設けた処理室と、前記プラズマ発生部で生成した水素活性種を前記処理室に輸送する活性種輸送管と、を備えたことを特徴とするレジスト除去装置。

IPC (2件)：

H01L21/3065 , H01L21/3213

FI (2件)：

H01L21/302 104H , H01L21/88 C

Fターム (48件)：

5F004AA06 , 5F004BA03 , 5F004BB13 , 5F004BB14 , 5F004BB26 , 5F004BD01 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DB26 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR25 , 5F033SS22 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033WW03 , 5F033WW09 , 5F033XX24

引用特許：

出願人引用 (1件)

プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-296693 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (4件)

フォトレジスト/エッチング後の残留物を取り除くためのプラズマストリッピング処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-234323 出願人：アクセリステクノロジーズインコーポレーテッド
レジスト除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-277344 出願人：旭化成マイクロシステム株式会社
特開昭62-165932

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