特許
J-GLOBAL ID：200903017587827005

半導体レーザ素子及びその製造方法、並びに半導体レーザ装置

発明者：
深井 春紀

深井 春紀 について

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苅田 秀孝

苅田 秀孝 について

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中村 厚

中村 厚 について

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山下 茂雄

山下 茂雄 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-076698
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104073
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】コンタクト抵抗及び熱抵抗の低減と高信頼度とを両立した半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられたクラッド層及び前記クラッド層上に設けられたコンタクト層を有するリッジと、前記クラッド層の側面を覆う絶縁膜と、前記コンタクト層に接続された電極とを有し、前記絶縁膜は、前記リッジの厚さ方向における端部が前記コンタクト層の上面と下面との間に位置している。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられた活性層と、 前記活性層上に設けられたクラッド層及び前記クラッド層上に設けられたコンタクト層を有するリッジと、 前記クラッド層の側面を覆う絶縁膜と、 前記コンタクト層に接続された電極とを有し、 前記絶縁膜は、前記リッジの厚さ方向における端部が前記コンタクト層の上面と下面との間に位置していることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S5/042 ,  H01S5/22
FI (2件)：
H01S5/042 614 ,  H01S5/22
Fターム (9件)：
5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA53 ,  5F073AA61 ,  5F073CA15 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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