特許

J-GLOBAL ID：200903017602826428

高耐圧半導体装置

発明者： 中島 泰 ,  武中 通暁
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 卓二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-019036
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201247
出願日： 2006年01月27日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】パワーチップ表面の局所的な温度上昇を抑制し、短絡耐量の高い高耐圧半導体装置を作成する。【解決手段】能動領域と上記能動領域の周りを囲んで設けられるガードリング部とを含むパワーチップで構成され、パワーチップの裏面は第1の半田を介して第1の電極と接合し、パワーチップの表面は金属層及び第2の半田を介して金属板電極と接合し、上記第1の電極の表面、上記パワーチップ及び上記金属板電極の周囲が封止材により封止されている半導体装置であって、上記能動領域の外周縁及び上記ガードリング部を覆って絶縁層が配置され、上記絶縁層と、上記絶縁層に覆われない上記能動領域とを覆って上記金属層が配置され、上記金属層と上記金属板電極とが上記半田により接合されることを特徴とする高耐圧半導体装置を提示する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

能動領域と上記能動領域の周りを囲んで設けられるガードリング部とを含むパワーチップで構成され、 パワーチップの裏面は第1の半田を介して第1の電極と接合し、パワーチップの表面は金属層及び第2の半田を介して金属板電極と接合し、 上記第1の電極の表面、上記パワーチップ及び上記金属板電極の周囲が封止材により封止されている半導体装置であって、 上記能動領域の外周縁及び上記ガードリング部を覆って絶縁層が配置され、 上記絶縁層と、上記絶縁層に覆われない上記能動領域とを覆って上記金属層が配置され、 上記金属層と上記金属板電極とが上記半田により接合されることを特徴とする高耐圧半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652Q

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第3525832号公報
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-007202   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-221400   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• 圧接型高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-157471   出願人：株式会社日立製作所