特許
J-GLOBAL ID：200903017629114810
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033691
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317454
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 下層の金属配線と上層の金属配線との間に、フッ素含有シリコン酸化膜を有する層間絶縁膜が介在するにも拘わらず、フッ素含有シリコン酸化膜に含まれるフッ素が金属配線を変質させることを防止して、金属配線と層間絶縁膜との密着性を向上させる。【解決手段】 半導体基板10上の絶縁膜11の上には、第1のチタン膜12a、第1のアルミニウム合金膜12b及び第1の窒化チタン膜12cからなる下層の金属配線12が形成されている。下層の金属配線12の上には、第1のシリコンリッチ酸化膜13、フッ素含有シリコン酸化膜14、第2のシリコンリッチ酸化膜15及びシリコン酸化膜16が順次形成されている。シリコン酸化膜16の上には、第2のチタン膜17a、第2のアルミニウム合金膜17b及び第2の窒化チタン膜17cからなる上層の金属配線17が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された下層の金属配線と、前記半導体基板上における前記下層の金属配線同士の間に形成され、フッ素がドープされた絶縁膜からなる第1のフッ素含有絶縁膜と、前記下層の金属配線及び第1のフッ素含有絶縁膜の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成された上層の金属配線とを備え、前記層間絶縁膜は、フッ素がドープされた絶縁膜からなる第2のフッ素含有絶縁膜と、シリコンの含有量が化学量論理組成よりも大きいシリコンリッチ絶縁膜とを有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
, H01L 21/318
H01L 21/90 M
, H01L 21/316 M
, H01L 21/318 M
