半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044574
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223534
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】結晶化を助長する触媒元素を用いて固相成長により得た結晶性珪素膜から、触媒元素を除去する方法を提供する。【解決手段】触媒元素を有する結晶性珪素膜に選択的に耐熱性および吸光性を有する材料によりマスクを形成する。次に、このマスクを用いて、珪素膜に燐を注入し、該注入部分の珪素膜を非晶質化せしめる。そして、ラピッド・サーマル・アニール(RTA)法により、珪素膜を加熱すると、マスクで覆われた部分は他の部分より高温となり、その結果、触媒元素は高温のマスクで覆われた部分からより低温で、ゲッタリング能力の大きい燐の注入された非晶質の部分に移動する。かくして、マスクで覆われた部分の珪素膜の触媒元素濃度は低下し、これを用いて半導体デバイスを作製する。

請求項（抜粋）：

珪素の結晶化を助長する金属元素を利用して得られた結晶性珪素膜または珪素を含む結晶性膜の一部を選択的にマスクする工程と、該工程においてマスクされなかった領域に15族の元素を加速注入する工程と、強光を照射し前記マスクされた膜の領域を他部に比べて高温に加熱し、前記金属元素を前記マスクされた膜の領域から他部に移動させる工程と、を有し、前記マスクの材料は、前記結晶性珪素膜または珪素を含む結晶性膜に比較して前記強光をより高い吸収率でもって吸収する材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-097478 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜状半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-285988 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-166117 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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