半導体光回路装置製造方法および半導体光回路製造装置、および光システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小川勝男 , 田中恭助 , 佐々木孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-007906
公開番号（公開出願番号）：特開2004-219786
出願日： 2003年01月16日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】光素子チップを回路基板に搭載する実装工程で、例えば半導体レーザに電流を流すことなく光導波路と半導体レーザとの光軸合わせを調整しつつ高効率に結合できる手段がなかった。【解決手段】半導体レーザチップ1を回路基板2に搭載する工程で、光導波路3を介して光を半導体レーザチップに入射し、反射光13に含まれる発光部51から発生する蛍光のスペクトル強度をモニタしつつ光軸合わせ調整を実現する。半導体レーザなど光素子と光導波路との高効率な結合が実現する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

光導波路を有する基板と、支持部材に搭載され、発光もしくは吸収が可能な半導体部を有する半導体チップとを、前記光導波路の第1の端部と前記半導体チップの発光もしくは吸収が可能な半導体部の所定部位を対向させて準備する工程、前記光導波路より、前記半導体チップの発光もしくは吸収が可能な半導体部に光を入射する工程、前記入射光の、前記半導体チップの発光もしくは吸収が可能な半導体部からの反射光、もしくは前記半導体チップの透過光の、スペクトルピーク波長ないしはスペクトルピーク強度を検知し、前記光導波路を有する基板と前記半導体チップとを位置合わせを行なう工程、とを有することを特徴とする半導体光回路装置の製造方法。

IPC (5件)：

G02B6/42 , G02B6/122 , H01L31/0232 , H01S5/022 , H01S5/183

FI (6件)：

G02B6/42 , H01S5/022 , H01S5/183 , H01L31/02 C , H01L31/02 D , G02B6/12 B

Fターム (20件)：

2H037AA01 , 2H037BA02 , 2H037BA11 , 2H037BA24 , 2H037CA34 , 2H037CA38 , 2H037DA03 , 2H037DA06 , 2H037DA18 , 2H037DA22 , 2H047KB08 , 2H047MA05 , 2H047MA07 , 5F073AB17 , 5F073AB25 , 5F073FA23 , 5F073FA30 , 5F088JA09 , 5F088JA14 , 5F088JA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

光素子の搭載方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-277989 出願人：日本電信電話株式会社
光伝送モジュール、及び光トランシーバ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-203556 出願人：富士写真フイルム株式会社
光インタコネクション装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-269357 出願人：株式会社日立製作所, 技術研究組合新情報処理開発機構

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