特許
J-GLOBAL ID:200903017656385206

磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果型ヘッド、情報再生装置、および磁気抵抗効果膜製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山田 正紀 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-033698
公開番号(公開出願番号):特開2001-229511
出願日: 2000年02月10日
公開日(公表日): 2001年08月24日
要約:
【要約】【課題】 中間層の厚みの低減に伴う結合磁界の増大が抑制された磁気抵抗効果膜を提供する。【解決手段】 方向が固定された磁化を有するピン層3と、そのピン層上に形成された非磁性の中間層4と、その中間層上に形成された、外部磁界に応じて方向が変化する磁化を有するフリー層5とを含む多層膜である、そのピン層の磁化の方向とそのフリー層の磁化の方向とがなす角度に応じた抵抗の大きさを示す磁気抵抗効果膜であって、上記フリー層上に直接に、あるいはそのフリー層との間にそのフリー層を構成する材料が酸化された材料からなる酸化層6を挟んで、銅元素を含む酸化物からなる銅酸化物層7が形成された。
請求項(抜粋):
方向が固定された磁化を有する固定磁性層と、該固定磁性層上に形成された非磁性の中間層と、該中間層上に形成された、外部磁界に応じて方向が変化する磁化を有する自由磁性層とを含む多層膜であって、該固定磁性層の磁化の方向と該自由磁性層の磁化の方向とがなす角度に応じた抵抗の大きさを示す磁気抵抗効果膜において、前記自由磁性層上に直接に、あるいは該自由磁性層との間に該自由磁性層を構成する材料が酸化された材料からなる酸化層を挟んで、銅元素を含む酸化物からなる銅酸化物層が形成されてなるものであることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
Fターム (5件):
5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA17 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07
引用特許:
審査官引用 (4件)
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