特許

J-GLOBAL ID：200903017664976272

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 正戸 宏幸 ,  井上 薫 ,  西井 勝則
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010137
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208755
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 高出力、高周波数、高温でも適切に動作する電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上にn型SiC層2を形成し、n型SiC層2上に酸化膜を形成し、酸化膜7の一部を除去することによりn型SiC層2の表面を露出させ、露出したn型SiC層2の表面上にAlGaN層6を形成し、AlGaN層6上にゲート電極5を形成し、AlGaN層6近傍の酸化膜の2個所を除去することによりn型SiC層2の表面に2個所の露出部を形成し、一方の露出部にソース電極3を形成し、他方の露出部にドレイン電極4を形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたn型SiC層と、前記n型SiC層上に形成されたドレイン電極およびソース電極と、前記n型SiC層上の前記ドレイン電極とソース電極との間の部分に形成されたAlGaN層と、前記AlGaN層上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 B

Fターム (14件)：

5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GM04 ,  5F102GN02 ,  5F102GR04 ,  5F102GT01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-086394   出願人：松下電器産業株式会社
• 絶縁されたゲートを有する半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-519734   出願人：エービービーリサーチリミテッド
• 特開平1-065870
  
• 特開昭60-142568
  
• 特開昭61-084873
  
• 半導体装置及び薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-323330   出願人：株式会社東芝