特許

J-GLOBAL ID：200903017665001194

半導体装置

発明者： 八木 優治 ,  柏木 隆文 ,  勝又 雅昭
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-150502
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343904
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 従来、半導体素子を高密度実装するため、半導体素子を薄板化して、実装を行っていたが、半導体素子に使われる基材は、脆く割れやすいため、薄板化した状態での取り扱いが非常に難しかった。そこで、薄型化しても取り扱いのし易い半導体装置を提供する。【解決手段】 電極ポスト3を形成してなるプリント基板5の電極ポスト3形成面側に、半導体素子1をフェイスダウン実装し、電極ポスト3及び半導体素子1を樹脂4でモールドした後、樹脂4モールド面側のみ、電極ポスト3が表面化するまで研磨してなることを特徴としており、柔軟性のあるプリント基板上に半導体素子を、厚み増加の比較的少ないフェイスダウン実装を用いて実装し、その後、研磨するため、薄型化しても取り扱いのし易い半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

電極ポストを形成してなるプリント基板の前記電極ポスト形成面側に、半導体素子をフェイスダウン実装し、前記電極ポスト及び前記半導体素子を樹脂モールドした後、前記樹脂モールド面側のみ、少なくとも前記電極ポストが表面化するまで研磨してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/301 ,  H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18

FI (5件)：

H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 501 B ,  H01L 23/12 501 S ,  H01L 25/14 Z ,  H01L 21/78 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-292703   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-235619   出願人：ローム株式会社
• 半導体素子および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-313651   出願人：松下電器産業株式会社
• 多層モジュールおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-210969   出願人：松下電器産業株式会社