特許
J-GLOBAL ID：200903017677977863
積層用デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
末成 幹生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-248383
公開番号（公開出願番号）：特開2008-071892
出願日： 2006年09月13日
公開日（公表日）： 2008年03月27日
要約：
【課題】貫通電極を有する半導体チップ等のデバイスを製造するにあたり、デバイスに個片化される前のウエーハが薄化された後の剛性を確保し、薄いウエーハのハンドリングを容易として工程間を円滑に移送させることができ、生産性や歩留まりを向上させる。【解決手段】ウエーハ表面の複数のバンプ7を同一高さに揃え、次いでウエーハ1の表面側に保護テープ10を貼着してから、ウエーハ1の裏面のデバイス形成領域4に対応する領域のみを研削加工して薄化し、該裏面側に凹部12ならびに凹部12の周囲に環状凸部13を形成する。次に、凹部12にエッチングを施して機械的ダメージを除去するとともに、金属電極8を凹部12の底面12aから突出させて裏面側電極部11を形成する。この後、ウエーハ1を半導体チップ3ごとに分割して個片化する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
表面に複数のデバイスが形成されたデバイス形成領域と、該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、デバイス形成領域には、複数の金属電極がデバイスの表面から少なくともデバイス厚さと同等以上の深さに埋設されているウエーハから積層用デバイスを得る方法であって、
前記ウエーハの表面側に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
該ウエーハの裏面の、前記デバイス形成領域に対応する領域のみを研削加工して薄化することにより、該裏面側に凹部を形成するとともに、前記外周余剰領域に裏面側に突出する環状凸部を形成する裏面凹部形成工程と、
前記凹部にエッチングを施して、前記研削加工によって該凹部に付与された機械的ダメージを除去するとともに、露出した前記金属電極を凹部底面から突出させて裏面側電極部を形成するエッチング工程と、
該ウエーハを前記デバイスごとに分割して個片化する分割工程と
を備えることを特徴とする積層用デバイスの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304
, H01L 21/301
H01L21/304 631
, H01L21/78 Q
, H01L21/78 L
