特許

J-GLOBAL ID：200903017698622828

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松本 信之 ,  宮宇地 真人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-311823
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167693
出願日： 1994年12月15日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 充分な酸素欠陥を形成して実用的な電流(〜mA)が流せる金属酸化物を利用した、ダイオード並びにキャパシタとして動作する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 この発明の半導体装置は、半導体基板上に、金属酸化物とショットキィ接触を形成する金属により構成された任意の形状の下層配線と、酸素欠陥を有する金属酸化物膜を挟んで、酸素との親和力が該金属酸化物膜に含まれる金属より大きい金属より構成される任意の形状の上層配線をもつ縦型構造を特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、金属酸化物とショットキィ接触を形成する金属により構成された任意の形状の下層配線と、酸素欠陥を有する金属酸化物膜を挟んで、酸素との親和力が該金属酸化物膜に含まれる金属より大きい金属より構成される任意の形状の上層配線をもつ縦型構造を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/91 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-060035   出願人：松下電子工業株式会社
• 薄膜容量素子及び半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-132125   出願人：株式会社東芝
• 半導体集積回路用受動素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-340037   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-167554