特許
J-GLOBAL ID：200903017749789722
内部電位発生回路および昇圧電位発生ユニット
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-039768
公開番号（公開出願番号）：特開平9-231752
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 低消費電力化を実現することである。【解決手段】 キャパシタC1aおよびスイッチS3a,S2aからなる第1のチャージポンピング回路と、キャパシタC1bおよびスイッチS3b,S2bからなる第2のチャージポンピング回路とを相補的に動作させている。そして、スイッチS2aによるノードN2aへの電荷の供給およびスイッチS3bによるノードNppへの電荷の注入が開始される前に、NMOSトランジスタM1cをオンにし、ノードN1aの電位とノードN1bの電位とをイコライズする。これにより、第1のチャージポンピング回路で消費される電荷を、第2のチャージポンピング回路で再利用できる。
請求項（抜粋）：
内部電位ノードに内部電位を発生する内部電位発生回路であって、前記内部電位ノードに電荷を注入することにより、前記内部電位を発生する第1のチャージポンピング手段と、前記内部電位ノードに電荷を注入することにより、前記内部電位を発生する第2のチャージポンピング手段とを備え、前記第1のチャージポンピング手段は、第1の電源電位が与えられる第1の入力ノードと、前記第1の入力ノードの電位変化に応答して、その電位が変化する第1の中間ノードと、前記第1の入力ノードと、前記第1の中間ノードとの間に接続される第1の容量手段と、前記第1の中間ノードから前記内部電位ノードに電荷を注入する第1の注入手段と、前記第1の中間ノードに前記第1の電源電位を供給する第1の供給手段とを含み、前記第2のチャージポンピング手段は、第2の電源電位が与えられる第2の入力ノードと、前記第2の入力ノードの電位変化に応答して、その電位が変化する第2の中間ノードと、前記第2の入力ノードと、前記第2の中間ノードとの間に接続される第2の容量手段と、前記第2の中間ノードから前記内部電位ノードに電荷を注入する第2の注入手段と、前記第2の中間ノードに前記第1の電源電位を供給する第2の供給手段とを含み、前記内部電位発生回路は、前記第1の入力ノードの電位と、前記第2の入力ノードの電位とをイコライズする第1のイコライズ手段をさらに備え、前記第1の注入手段と、前記第2の注入手段とは、交互に、前記内部電位ノードへ電荷を注入し、前記第1の注入手段からの電荷の注入および前記第2の供給手段からの前記第1の電源電位の供給の後に、前記第1のイコライズ手段によりイコライズが開始され、次いで、前記第1の供給手段による前記第1の電源電位の供給および前記第2の注入手段による電荷の注入が行なわれ、その後、前記第1の注入手段による電荷の注入および前記第2の供給手段による前記第1の電源電位の供給が開始される、内部電位発生回路。
IPC (4件)：
G11C 11/407
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H02M 3/07
G11C 11/34 354 F
, H02M 3/07
, H01L 27/08 321 L
