特許

J-GLOBAL ID：200903017751018008

金属リード線の信頼性を高める方法及び半導体装置

発明者： 沼田 乾
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-134298
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046046
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 金属リード線の信頼性の向上。【構成】 信頼性を改善した金属リード線14を持つ半導体装置は、基板12の上の金属リード線14と、少なくとも金属リード線14の間にある低誘電率材料18と、金属リード線14及び低誘電率材料18の上にデポジットされた伝熱性絶縁層22とで構成される。金属リード線14からの熱は伝熱性絶縁層22に伝達可能であり、伝熱性絶縁層22はこの熱を散逸することができる。低誘電率材料18は3.5未満の誘電率を有する。低誘電率材料を使う回路に対して、金属リード線の信頼性を改善することができる。

請求項（抜粋）：

半導体装置の金属リード線の信頼性を高める方法に於て、基板の上に少なくとも2つの金属リード線を形成し、少なくとも前記金属リード線の間に低誘電率材料をデポジットし、AlN,Si3 N4 又は両方で構成されている伝熱性絶縁層を前記金属リード線の少なくとも頂部の上にデポジットする工程を含み、前記低誘電率材料は3.5未満の誘電率を持ち、前記金属リード線からの熱が前記伝熱性絶縁層に伝達可能で散逸可能である様にした方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324157   出願人：株式会社東芝
• 多層配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-066501   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭58-184741
  
• 回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-181713   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 特開昭61-107745