特許
J-GLOBAL ID：200903017797017707

ナノ構造体、及びその製造方法

発明者：
田 透

田 透 について

, 
福谷 和彦

福谷 和彦 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-288940
公開番号（公開出願番号）：特開2005-052956
出願日： 2003年08月07日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 20nm以下のナノメータサイズのドットやワイヤの構造体や製法を提供する。【解決手段】 基板又は下地層を有する基板上に形成されたナノ構造体であって、柱状の第1の部材と前記第1の部材を取り囲むように形成した第2の部材を備え、前記第2の部材が共晶を形成し得る2種類以上の材料を含有し、且つ前記材料の1種類が半導体材料であり、前記第1の部材の基板からの高さが、第2の部材の基板からの高さよりも高いことを特徴とする構造体を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板又は下地層を有する基板上に形成されたナノ構造体であって、 柱状の第1の部材と前記第1の部材を取り囲むように形成した第2の部材を備え、前記第2の部材が共晶を形成し得る2種類以上の材料を含有し、且つ前記材料の1種類が半導体材料であり、前記第1の部材が前記第2の部材よりも突出していることを特徴とする構造体。
IPC (7件)：
B82B1/00 ,  C23F4/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/73 ,  G11B5/84 ,  H01F10/16 ,  H01L29/06
FI (7件)：
B82B1/00 ,  C23F4/00 A ,  G11B5/64 ,  G11B5/73 ,  G11B5/84 Z ,  H01F10/16 ,  H01L29/06 601D
Fターム (29件)：
4K057DA11 ,  4K057DB05 ,  4K057DB06 ,  4K057DB11 ,  4K057DB12 ,  4K057DB15 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DN10 ,  4K057WB05 ,  5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006BB09 ,  5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006EA02 ,  5D112AA02 ,  5D112AA05 ,  5D112BA02 ,  5D112BA09 ,  5D112BB05 ,  5D112BB07 ,  5D112FA03 ,  5D112FA04 ,  5D112GA20 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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