磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：吉武賢次 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-248247
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081215
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【課題】情報保持のために必要な高い磁化反転エネルギーを有する磁化自由層を低電流で磁化反転させることのできるスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子を提供することを可能にする。【解決手段】膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層2と、膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層6と、磁化参照層と磁化自由層との間に設けられた中間層4と、磁化自由層に対して中間層と反対側に設けられて磁化自由層と磁気的に結合し、反強磁性体と強磁性体との間で磁気相転移が可能な磁気相転移層8と、磁気相転移層に対して磁化自由層と反対側に設けられ、磁気相転移層に反強磁性体から強磁性体への磁気相転移を生じさせる励起層10と、を備え、磁化自由層の磁化の向きは、中間層を介して磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された第1磁化参照層と、膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、前記第1磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられた第1中間層と、前記磁化自由層に対して前記第1中間層と反対側に設けられて前記磁化自由層と磁気的に結合し、反強磁性体と強磁性体との間で磁気相転移が可能な磁気相転移層と、前記磁気相転移層に対して前記磁化自由層と反対側に設けられ、前記磁気相転移層に反強磁性体から強磁性体への磁気相転移を生じさせる励起層と、を備え、前記磁化自由層の磁化の向きは、前記第1中間層を介して前記第1磁化参照層および前記磁化自由層に通電することにより変化可能であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G11C 11/15

FI (3件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , G11C11/15 112

Fターム (29件)：

4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD17 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF16 , 5F092AB08 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB38 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC04 , 5F092BC13 , 5F092BC46 , 5F092BE06 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE14 , 5F092BE21 , 5F092BE24

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,256,223号明細書

審査官引用 (4件)

磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-262444 出願人：株式会社東芝
磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-097889 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-268670 出願人：株式会社東芝

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