特許
J-GLOBAL ID：200903017862851680

半導体装置

発明者：
中嶋 裕治

中嶋 裕治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000491
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189420
出願日： 2000年01月05日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ESD耐圧を有し、さらに狭い面積内に大きな容量の容量素子を形成することを可能にした半導体装置を提供する。【解決手段】 第1の配線層1には、櫛型状に形成された複数の櫛歯部11(21)とこの複数の櫛歯部11(21)を接続する接続部12(22)とを備えた第1の電極10と第2の電極20とが設けられ、前記第1の電極10と第2の電極20とは、互いに入れ子状になるように配置され、第2の配線層2には、櫛型状に形成された複数の櫛歯部31(41)とこの複数の櫛歯部31(41)を接続する接続部32(42)とを備えた第3の電極30と第4の電極40とが設けられ、前記第3の電極30と第4の電極40とは、互いに入れ子状になるように配置され、前記4つの電極10〜40で一つの容量素子を形成するように構成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の配線層には、櫛型状に形成された複数の櫛歯部とこの複数の櫛歯部を接続する接続部とを備えた第1の電極と第2の電極とが設けられ、前記第1の電極と第2の電極とは、互いに入れ子状になるように配置され、第2の配線層には、櫛型状に形成された複数の櫛歯部とこの複数の櫛歯部を接続する接続部とを備えた第3の電極と第4の電極とが設けられ、前記第3の電極と第4の電極とは、互いに入れ子状になるように配置され、前記第1の配線層の第1の電極の櫛歯部は、層間膜を介して前記第2の配線層の第3の電極の櫛歯部又は第4の電極の櫛歯部の何れかに重なるように配置され、且つ、重なる各櫛歯部の電位が異なるように、各電極が接続され、前記4つの電極で一つの容量素子を形成するように構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
Fターム (2件)：
5F038AC04 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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