特許
J-GLOBAL ID：200903017875377278
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-231782
公開番号（公開出願番号）：特開2009-194361
出願日： 2008年09月10日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】次世代以降のLSIの配線膜厚に対応し、かつディッシング等の影響を受けにくい遮光膜の提供を可能とする。【解決手段】固体撮像装置1の黒レベル基準画素部13上に形成される遮光膜は、第1金属配線層21で形成される複数の第1金属配線31の一部を所定間隔かつ複数列に配設した第1遮光膜71と、第1金属配線層21の上方の第2金属配線層22で形成される複数の第2金属配線32の一部を、各第1金属配線31間の上方に配設した第2遮光膜72と、第2金属配線層22の上方の第3金属配線層23で形成される複数の第3金属配線33の一部を、第2遮光膜72と直交する方向に所定間隔かつ複数列に配設した第3遮光膜73と、第3金属配線層23の上方の第4金属配線層24で形成される複数の第4金属配線34の一部を、各第3金属配線33間の上方に配設した第4遮光膜74とを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された受光画素部と、
前記半導体基板に形成された黒レベル基準画素部と、
前記受光画素部および前記黒レベル基準画素部を含む前記半導体基板上に設けられた多層配線部を有し、
前記多層配線部は、
前記半導体基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層中に複数層に形成された金属配線層とからなり、
前記金属配線層のうちの第1金属配線層で形成される複数の第1金属配線の一部を、前記黒レベル基準画素部の上方に所定間隔かつ複数列に配設した第1遮光膜と、
前記第1金属配線層の上方の第2金属配線層で形成される複数の第2金属配線の一部を、前記黒レベル基準画素部の上方の前記各第1金属配線間の上方に配設した第2遮光膜と、
前記黒レベル基準画素部の上方に、前記第2金属配線層の上方の第3金属配線層で形成される複数の第3金属配線の一部を、前記第2遮光膜と直交する方向に所定間隔かつ複数列に配設した第3遮光膜と、
前記第3金属配線層の上方の第4金属配線層で形成される複数の第4金属配線の一部を、前記黒レベル基準画素部の上方の前記各第3金属配線間の上方に配設した第4遮光膜と
を有する固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 D
, H01L27/14 A
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA32
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118GB03
, 4M118GB09
, 4M118GB11
, 4M118GB15
, 4M118GB17
, 4M118GB19
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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