特許
J-GLOBAL ID：200903038935495817

固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
丸山 俊介

丸山 俊介 について

, 
阿部 秀司

阿部 秀司 について

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大橋 正典

大橋 正典 について

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田谷 圭司

田谷 圭司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-115956
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294991
出願日： 2005年04月13日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 受光画素領域と黒レベル基準画素部との間の段差をなくすことができる固体撮像装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 受光画素部22及び黒レベル基準画素部23を含む半導体基板21上に多層配線部24が設けられている。多層配線部24は、半導体基板21上において複数重ねて形成された複数のメタル配線241と、各メタル配線241の間を絶縁する層間絶縁膜242と、最上位のメタル配線241aを覆う層間絶縁膜243を有している。そして、光黒レベル基準画素部23のフォトダイオード領域への光の入射を遮断する遮光膜25は、最上位に位置するメタル配線241a上の層間絶縁膜243内に埋め込まれている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された受光画素部及び黒レベル基準画素部と、 それら受光画素部及び黒レベル基準画素部を含む前記半導体基板上に設けられた多層配線部とを有し、 前記多層配線部は、前記半導体基板上において複数重ねて形成された複数のメタル配線と、各メタル配線の間を絶縁すると共に最上位に位置する前記メタル配線の上を覆う層間絶縁膜とを有し、 前記最上位に位置する前記メタル配線上の前記層間絶縁膜内に、前記黒レベル基準画素部の光電変換領域への光の入射を遮断する遮光膜が埋め込まれている、 ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/14 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L27/14 D ,  H04N5/335 E
Fターム (14件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118HA30 ,  5C024CY47 ,  5C024GZ36
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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