特許
J-GLOBAL ID：200903017892138147
電界効果型トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-238087
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059896
出願日： 2004年08月18日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】バックグランドキャリアに起因したオフ電流の低減を可能とする構造を有する電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、ゲート電極12、ゲート絶縁層13、ソース/ドレイン電極21、並びに、ゲート電極12へのゲート電圧への印加によって誘起されるチャネル領域15をその一部分に有する有機半導体材料層14を備えており、ソース/ドレイン電極21は、(a)ゲート絶縁層13及びチャネル領域15を構成する有機半導体材料層14の部分に接しており、チャネル領域15に電荷注入可能な第1の導電材料から成る第1導電材料層22、並びに、(b)チャネル領域15を構成しない有機半導体材料層14の部分に接しており、第1の導電材料よりも有機半導体材料層14への電荷注入効率の悪い第2の導電材料から成る第2導電材料層23から成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)ゲート電極、
(B)ゲート絶縁層、
(C)ソース/ドレイン電極、並びに、
(D)ソース/ドレイン電極間に位置し、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向し、ゲート電極へのゲート電圧の印加によって誘起されるチャネル領域をその一部分に有する有機半導体材料層、
を備えた電界効果型トランジスタであって、
ソース/ドレイン電極は、
(a)ゲート絶縁層及びチャネル領域を構成する有機半導体材料層の部分に接しており、チャネル領域に電荷注入可能な第1の導電材料から成る第1導電材料層、並びに、
(b)チャネル領域を構成しない有機半導体材料層の部分に接しており、第1の導電材料よりも有機半導体材料層への電荷注入効率の悪い第2の導電材料から成る第2導電材料層、
から成ることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 618B
, H01L29/78 616U
, H01L29/78 616V
, H01L29/28
5F110AA03
, 5F110AA06
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE42
, 5F110FF02
, 5F110FF28
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK04
, 5F110HK17
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110QQ14
