特許

J-GLOBAL ID：200903049505470189

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 福田 光弘 ,  北 弘志
出願人/特許権者： コニカ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-277118
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229579
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 簡単な工程で有機半導体膜を用い、ソース、ドレイン、ゲート電極等、基板上に順次形成することによって、電界効果型トランジスタを構成することにあり、これらを用いてTFT素子等半導体装置を製造する方法を得ることにある。【解決手段】 基板上に、その層中の少なくとも2箇所以上の部分で金属化合物と混合若しくは化合した、該金属化合物と結合しうる構造を末端に有する有機伝導性化合物の層を有し、該有機伝導性化合物の層上に、ゲート電極と、該ゲート電極及び上記有機伝導性化合物の層を隔てる絶縁体層を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

請求項（抜粋）：

基板上に、その層中の少なくとも2箇所以上の部分で金属化合物と混合若しくは化合した、該金属化合物と結合しうる構造を末端に有する有機伝導性化合物の層を有し、該有機伝導性化合物の層上に、ゲート電極と、該ゲート電極及び上記有機伝導性化合物の層を隔てる絶縁体層を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/00

FI (3件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/28

Fターム (36件)：

5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-215748   出願人：旭化成工業株式会社
• ダイオード素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-316710   出願人：松下技研株式会社
• αヘキサチエニールを含む製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-039190   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

審査官引用 (2件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-192841   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 有機トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-402664   出願人：株式会社東芝