半導体レーザアセンブリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大澤斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-103557
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299744
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】従来に比べて、半導体レーザ素子の素子寿命が長く、信頼性に優れ、全体の機械的強度が高い半導体レーザアセンブリを提供する。【解決手段】本半導体レーザアセンブリ30は、半導体レーザ素子32と、第1のインジウム半田層34を介して半導体レーザ素子32の基板側に接合されているSiC製サブマウント36と、第2のインジウム半田層38を介してサブマウント36の裏面側に接合されているCu製ヒートシンク40とを備えている。本半導体レーザアセンブリでは、サブマウントの厚さが厚くなると、半導体レーザ素子に生じる応力が圧縮応力から引っ張り応力に変化するので、サブマウントの厚さを適正に設定すことにより、半導体レーザ素子32に発生する応力を実質的にゼロ(0)にすることができる。よって、発生した応力により歪みが半導体レーザ素子内に生じ、半導体レーザ素子が損傷するようなことが生じないので、半導体レーザ素子の素子寿命が長くなり、動作信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子と、第1の半田層を介して半導体レーザ素子の基板側に接合されているサブマウントと、第2の半田層を介してサブマウントの裏面側に接合されているヒートシンクとを備えた半導体レーザアセンブリにおいて、ヒートシンクは、熱膨張係数が半導体レーザ素子の熱膨張係数より大きい金属で形成され、サブマウントは、熱膨張係数が半導体レーザ素子の熱膨張係数より小さい金属で形成され、かつ半導体レーザアセンブリを半田層の溶融温度から室温に冷却したとき、半導体レーザ素子に生じる応力が実質的にゼロ(0)になる厚さを有することを特徴とする半導体レーザアセンブリ。

Fターム (5件)：

5F073CA02 , 5F073EA28 , 5F073FA15 , 5F073FA22 , 5F073FA30

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-105149 出願人：富士通株式会社
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-166495 出願人：株式会社東芝
光デバイスの組立構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-016814 出願人：三菱電機株式会社

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