特許
J-GLOBAL ID：200903017926312478

半導体層の積層方法及び該積層装置

発明者：
岡本 圭史

岡本 圭史 について

, 
吉見 雅士

吉見 雅士 について


出願人/特許権者：
鐘淵化学工業株式会社

鐘淵化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 楠本 高義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-319023
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135583
出願日： 1999年11月10日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 特にハイブリッド太陽電池の半導体層の製造において、製膜装置のラインの長さを抑えた上で、良質の半導体層を積層するための半導体層の積層方法及び積層装置を提供することにる。【解決手段】 複数の製膜室が直列的に接続されている製膜装置を使用して基板上に所定構造の半導体層を積層する半導体層の積層方法において、少なくとも1つの製膜室において複数種の半導体層を所定順序で積層する工程と、該少なくとも1つの製膜室において複数種の半導体層を所定順序で積層することによって空き製膜室が生じ、該空き製膜室を使用して半導体層を積層する工程とを含んだ半導体層の積層方法を構成した。なお、前記少なくとも1つの製膜室以外の製膜室では、1種類の半導体層を積層する。
請求項（抜粋）：
複数の製膜室が連続して形成された積層装置を使用した積層方法であり、該製膜室を順に移動して基板上に所定構造の半導体層を積層する工程を有する半導体層の積層方法において、少なくとも1つの製膜室において複数種の半導体層を所定順序で積層する工程を含むことを特徴とする半導体層の積層方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/04
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/04 T ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 V
Fターム (19件)：
5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DP21 ,  5F045DQ15 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EN05 ,  5F045HA22 ,  5F045HA24 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA22 ,  5F051DA15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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