高配向磁性薄膜の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-090994
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289005
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】 20kOe以上の保磁力を持つ高配向磁性薄膜を大量生産するのに適した簡便な製造プロセスからなる製造方法を提供する。【解決手段】磁気的に孤立した微粒子構造を備え、一方向に配向している高配向磁性薄膜の製造方法において、スパッタリングにより、FeおよびCoのうちの少なくとも1種類の金属と、Pt、Pdのうちの少なくとも1種類の金属との合金薄膜を、表面温度が650°C以上である基板上に成膜する。

請求項（抜粋）：

磁気的に孤立した微粒子構造を備え、一方向に配向している高配向磁性薄膜の製造方法において、FeおよびCoのうちの少なくとも1種類の金属と、PtおよびPdのうちの少なくとも1種類の金属との合金薄膜を、表面温度が650°C以上である基板上にスパッタリング成膜することを特徴とする高配向磁性薄膜の製造方法。

IPC (8件)：

H01F 10/16 , C23C 14/34 , G11B 5/64 , G11B 5/66 , G11B 5/73 , G11B 5/851 , H01F 10/28 , H01F 41/18

FI (8件)：

H01F 10/16 , C23C 14/34 P , G11B 5/64 , G11B 5/66 , G11B 5/73 , G11B 5/851 , H01F 10/28 , H01F 41/18

Fターム (31件)：

4K029AA04 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA24 , 4K029BA26 , 4K029BC06 , 4K029BD11 , 4K029CA05 , 4K029EA01 , 4K029EA08 , 5D006BB01 , 5D006BB07 , 5D006BB08 , 5D006CB01 , 5D006CB07 , 5D006FA09 , 5D112AA02 , 5D112AA05 , 5D112BA02 , 5D112BB02 , 5D112BB05 , 5D112FA04 , 5D112FB26 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA01 , 5E049CB01 , 5E049DB02 , 5E049GC02

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜永久磁石の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-011817 出願人：財団法人電気磁気材料研究所
磁気記録媒体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-300906 出願人：成瀬淳
磁気抵抗素子ならびにその磁気抵抗素子を用いた磁性薄膜メモリおよび磁気抵抗センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-214123 出願人：三菱電機株式会社

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