特許

J-GLOBAL ID：200903017953526781

メッキ被膜付き回路パターンの形成方法

発明者： 吉田 誠 ,  阿部 正行
出願人/特許権者： ミヤチテクノス株式会社
代理人 (1件)： 飯塚 信市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-183017
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022307
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 この種の架橋導体部分の切除作業の効率化を達成し、併せて、切除作業が製品に与える悪影響を可及的に軽減する。【解決手段】 絶縁性基材の表面に回路パターンに相当する導体パターンを形成する第1の工程と、前記導体パターンを電極とする電界メッキ法により導体パターンの表面にメッキ被膜を成長させる第2の工程と、前記メッキ被膜が成長された導体パターンに含まれる架橋導体部分を切除することにより回路パターンの孤島導体部分を出現させる第3の工程とを有するメッキ被膜付き回路パターンの形成方法であって、前記第3の工程における架橋導体部分の切除はレーザ光線の照射により行われる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基材の表面に回路パターンに相当する導体パターンを形成する第1の工程と、前記導体パターンを電極とする電界メッキ法により導体パターンの表面にメッキ被膜を成長させる第2の工程と、前記メッキ被膜が成長された導体パターンに含まれる架橋導体部分を切除することにより回路パターンの孤島導体部分を出現させる第3の工程とを有するメッキ被膜付き回路パターンの形成方法であって、前記第3の工程における架橋導体部分の切除はレーザ光線の照射により行われることを特徴とする請求項1に記載のメッキ被膜付き回路パターンの形成方法。

IPC (6件)：

H05K 3/24 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/12 ,  H01L 23/13 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/22

FI (6件)：

H05K 3/24 A ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/12 ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/22 E ,  H01L 23/12 C

Fターム (13件)：

4E068AE01 ,  4E068CD11 ,  4E068CD13 ,  4E068CE04 ,  4E068DA09 ,  4E068DB01 ,  5E343AA23 ,  5E343BB23 ,  5E343BB40 ,  5E343BB44 ,  5E343DD23 ,  5E343DD43 ,  5E343EE42

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 回路板の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-006249   出願人：松下電工株式会社
• セラミックス回路基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-302736   出願人：株式会社東芝
• レーザーによる回路パターン形成方法及び回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-331257   出願人：ポリプラスチックス株式会社