薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小野由己男 , 稲積朋子 , 堀川かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-034171
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205469
出願日： 2008年02月15日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】優れた特性の薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】酸化物半導体物質から形成されたチャンネル層、チャンネル層上に互いに対向して位置するソース電極及びドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極の下で、チャンネル層をカバーするように形成された保護層、チャンネル層に電界を印加するためのゲート電極、及びゲート電極とチャンネル層との間に介在されたゲート絶縁層を備えることを特徴とする薄膜トランジスタである。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

酸化物半導体から形成されたチャンネル層と、前記チャンネル層上に互いに対向して位置するソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の下で、前記チャンネル層をカバーするように形成された保護層と、前記チャンネル層に電界を印加するためのゲート電極と、前記ゲート電極と前記チャンネル層との間に介在されたゲート絶縁層とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 617U

Fターム (42件)：

5F110AA01 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF40 , 5F110GG04 , 5F110GG07 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN12 , 5F110NN15 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ05

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-378476 出願人：カシオ計算機株式会社
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325371 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
特開平3-201540

全件表示

前のページに戻る