特許
J-GLOBAL ID：200903018047206423

酸化タンタル薄膜の形成方法

発明者：
松山 直子

松山 直子 について

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山本 克彦

山本 克彦 について

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経田 昌幸

経田 昌幸 について


出願人/特許権者：
国際電気株式会社

国際電気株式会社 について


代理人 (1件)： 石戸 久子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152495
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340559
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 基板に凹凸部、例えば深い溝部や段差部が存在する場合であっても、前記凹凸部に酸化タンタル薄膜を均一な厚さで被覆することができる酸化タンタル薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 基板11が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5 )を含む原料ガスを導入する工程と、非酸素雰囲気下、前記ペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5 )を熱分解しCVD法により前記基板11上に酸化タンタル(Ta2O5 )薄膜14を形成する工程と、酸化タンタル(Ta2O5 )薄膜14が形成された基板に酸素を用いた後処理を行う工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基板が設置された反応室内に、少なくともペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5 )を含む原料ガスを導入する工程と、非酸素雰囲気下、前記ペンタエトキシタンタル(Ta(OC2H5)5 )を熱分解しCVD法により前記基板上に酸化タンタル(Ta2O5 )薄膜を形成する工程と、酸化タンタル(Ta2O5 )薄膜が形成された基板に酸素を用いた後処理を行う工程と、を有する酸化タンタル薄膜の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B
Fターム (29件)：
4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA42 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB31 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DC63 ,  5F045HA16 ,  5F058BA09 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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