特許
J-GLOBAL ID：200903018096859521

半導体受光素子

発明者：
工原 美樹

工原 美樹 について

, 
猪口 康博

猪口 康博 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-232832
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050785
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：
【要約】【課題】 二つの波長λ2、λ1(λ2>λ1)を用いる光送受信系における長波長λ2を感受する裏面入射型のPDにおいて、λ1とのクロストークを低減したPD構造を与える。【解決手段】λ1とλ2の中間のバンドギャップ波長λgを有する材料を受光層として設け、受光層の上にλ2を吸収する吸収層を設け、一旦受光層を通ったλ2が再び受光層を通らないようにしている。
請求項（抜粋）：
長波長光λ2と短波長光λ1を含む光を受けて短波長光λ1を検知すべき裏面入射型の半導体受光素子であって、半導体基板とこの上に設けられpn接合を有する受光層と、受光層の上面に設けられるキャップ層と、半導体基板の底面に設けた開口を有する第1電極と、受光層の上方に設けた開口を有する第2電極を含み、光は裏面から表面へ透過できるよう両面が開口部を有し、受光層がλ1より長くλ2より短い吸収端波長(バンドギャップ波長)λgを持つ半導体材料からなり、受光層の上部にはλ2光を吸収する材料からなるλ2吸収層を設けたことを特徴とする半導体受光素子。
IPC (3件)：
H01L 31/10 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/0232
FI (3件)：
G02B 6/42 ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/02 C
Fターム (28件)：
2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06 ,  2H037DA40 ,  5F049MA02 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA04 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049QA03 ,  5F049QA06 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ01 ,  5F049TA14 ,  5F049WA01 ,  5F088AA02 ,  5F088AB07 ,  5F088AB17 ,  5F088BA03 ,  5F088CB04 ,  5F088GA05 ,  5F088HA01 ,  5F088JA14 ,  5F088LA01
引用特許：
審査官引用 (19件)
  • 特開平2-188971
  • 特開昭50-144395
  • 特開昭56-024969
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