特許
J-GLOBAL ID:200903018101874046

回路基板の実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-301269
公開番号(公開出願番号):特開2007-109995
出願日: 2005年10月17日
公開日(公表日): 2007年04月26日
要約:
【課題】熱履歴を繰り返し受けてもセラミックス基板やはんだにクラック発生が少ない、セラミックス回路基板の実装方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板とアルミニウム金属回路とが接合層を介して接合された回路基板に電子部品を実装する方法であって、アルミニウム金属回路端面の下部より1mm以上内側の金属回路面にはんだ層を形成して電子部品を実装する回路基板の実装方法であり、セラミックス基板が窒化アルミニウム基板である回路基板の実装方法であり、アルミニウム金属回路の純度が99.99質量%以上である回路基板の実装方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
セラミックス基板とアルミニウム金属回路とが接合層を介して接合された回路基板に電子部品を実装する方法であって、アルミニウム金属回路端面の下部より1mm以上内側の金属回路面にはんだ層を形成して電子部品を実装することを特徴とする回路基板の実装方法。
IPC (1件):
H05K 3/34
FI (1件):
H05K3/34 501D
Fターム (8件):
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC04 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319CD04 ,  5E319CD06 ,  5E319GG11
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る