特許
J-GLOBAL ID：200903039918180558

回路基板用鉛フリー半田及び回路基板

発明者：
辻村 好彦

辻村 好彦 について

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谷口 佳孝

谷口 佳孝 について

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岩元 豪

岩元 豪 について

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吉野 信行

吉野 信行 について


出願人/特許権者：
電気化学工業株式会社

電気化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-317980
公開番号（公開出願番号）：特開2003-126987
出願日： 2001年10月16日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：
【要約】【課題】Niメッキ面との半田濡れ性が良好である回路基板用鉛フリー半田と、それを用いて作製された放熱性に優れた回路基板を提供する。【解決手段】直径1mm、底面直径0.8mmの半球状体半田をその底面をNiメッキ面に接面させて置き、水素雰囲気下、400°Cで15分間保持した後冷却したときに、Niメッキ面に対する半田の濡れ角が45°以下となる半田であり、しかも組成が、Sn含有量60〜95質量%、残部がAg及び/又はCuと、Bi、In、Sbから選択された少なくとも一種の金属とを含んでいることを特徴とする回路基板用鉛フリー半田。セラミックス基板にNiメッキの施された金属回路及び金属放熱板が形成されており、その金属回路面に上記鉛フリー半田によって半導体素子等の発熱性電子部品が半田付けされてなるものであることを特徴とする回路基板。
請求項（抜粋）：
球直径1mm、底面直径0.8mmの半球状体試験球をその底面をNiメッキ面に接面させて置き、水素雰囲気下、400°Cで15分間保持した後冷却したときに、Niメッキ面に対する半田の濡れ角が45°以下となる半田であり、しかも組成が、Sn含有量60〜95質量%、残部がAg及び/又はCuと、Bi、In、Sbから選択された少なくとも一種の金属とを含んでいることを特徴とする回路基板用鉛フリー半田。
IPC (9件)：
B23K 35/26 310 ,  B23K 35/26 ZAB ,  C22C 13/00 ,  C22C 13/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/13 ,  H05K 1/02 ,  H05K 3/34 501 ,  H05K 3/34 512
FI (10件)：
B23K 35/26 310 A ,  B23K 35/26 ZAB ,  C22C 13/00 ,  C22C 13/02 ,  H05K 1/02 F ,  H05K 3/34 501 F ,  H05K 3/34 512 C ,  H01L 23/12 C ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 J
Fターム (13件)：
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC04 ,  5E319AC16 ,  5E319AC17 ,  5E319BB01 ,  5E319BB05 ,  5E319CC22 ,  5E319CD26 ,  5E319GG03 ,  5E338AA02 ,  5E338BB75 ,  5E338EE02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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