特許
J-GLOBAL ID:200903018125091166

複合成膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-170362
公開番号(公開出願番号):特開2004-011018
出願日: 2002年06月11日
公開日(公表日): 2004年01月15日
要約:
【課題】アーク蒸発源とマグネトロンスパッタ蒸発源との磁界の相互干渉を抑制し、それぞれの蒸発源が具備する機能を十分に発揮させることができる複合成膜装置を提供する。【解決手段】同一の真空チャンバ2内にアーク蒸発源3とスパッタ蒸発源4とが配置され、これら2種の蒸発源を交互、または同時に放電させて前記真空チャンバ2内に配置された基板10の表面に皮膜を成膜する複合成膜装置1において、前記蒸発源3とスパッタ蒸発源4に磁石を付設すると共に、前記アーク蒸発源3に第1電磁石7を、また前記スパッタ蒸発源4に第2電磁石8を付設して、前記磁石による磁界を弱め、または強める構成とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
同一の真空チャンバ内にアーク蒸発源とスパッタ蒸発源とが配置され、これら2種の蒸発源を交互、または同時に放電させて前記真空チャンバ内に配置された基板の表面に皮膜を成膜する複合成膜装置において、前記アーク蒸発源またはスパッタ蒸発源の少なくとも一方に主磁場発生手段が付設されると共に、この主磁場発生手段が付設された蒸発源を成膜に使用しないときにこの主磁場発生手段が発生する磁場を弱めるための補助磁場発生手段が付設されてなることを特徴とする複合成膜装置。
IPC (1件):
C23C14/22
FI (1件):
C23C14/22 C
Fターム (6件):
4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB07 ,  4K029DB17 ,  4K029DC12 ,  4K029DC41
引用特許:
審査官引用 (2件)
引用文献:
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