表示装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-220039
公開番号（公開出願番号）：特開2006-039272
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】駆動能力の向上と、光リークの防止とを両立することが容易であり、画像品質を向上する。【解決手段】表示部12の画素をスイッチング制御する画素トランジスタ16のチャネル領域を、多結晶の半導体により形成し、単結晶の半導体の場合よりも光感度を低くして、光リークを抑制する。そして、表示部12を駆動する駆動部13の駆動トランジスタ18のチャネル領域を単結晶の半導体により形成し、多結晶の半導体の場合よりキャリア移動度を高くして、駆動能力を向上する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、複数の画素により前記基板に形成された表示部と、前記基板に形成され、前記表示部を駆動する駆動部とを有し、前記表示部は、前記画素毎に設けられ、前記画素をスイッチング制御する第1トランジスタを含み、前記駆動部は、前記表示部を駆動する第2トランジスタを含み、前記第1トランジスタのチャネル領域が、多結晶の半導体により形成され、前記第2トランジスタのチャネル領域が、単結晶の半導体により形成されている表示装置。

IPC (3件)：

G09F 9/30 , G02F 1/136 , H01L 29/786

FI (3件)：

G09F9/30 338 , G02F1/1368 , H01L29/78 612B

Fターム (58件)：

2H092GA59 , 2H092JA23 , 2H092JA25 , 2H092JB56 , 2H092JB61 , 2H092KA03 , 2H092KA04 , 2H092MA28 , 2H092NA01 , 2H092NA21 , 5C094AA02 , 5C094AA53 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA09 , 5C094DB01 , 5C094EB05 , 5C094FB14 , 5C094GB10 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD03 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN25 , 5F110NN35 , 5F110NN44 , 5F110NN46 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN77 , 5F110NN78 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP33 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (1件)

高解像度アクティブ・マトリクスLCDセル設計
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-514683 出願人：ハネウエル・インコーポレーテッド

審査官引用 (5件)

電気光学装置の製造方法及び電気光学装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-069414 出願人：セイコーエプソン株式会社
表示装置の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-253970 出願人：キヤノン株式会社
アクテイブマトリクス型液晶表示素子の駆動用半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-319669 出願人：キヤノン株式会社

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