受光素子及びその製造方法、並びに、回路内蔵型受光素子及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059529
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258223
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】高比抵抗基板を用いた場合のオートドープの発生が解消されて高速応答を可能とする。【解決手段】 P型半導体基板1上のP型の高比抵抗エピタキシャル層3に、N型エピタキシャル層6が形成され、N型エピタキシャル層6の表面から所定の深さにN型の不純物が拡散されたN型不純物拡散層8が形成されている受光素子であって、N型不純物拡散層8は、N型エピタキシャル層6と、P型の高比抵エピタキシャル層3との界面よりも深く形成されている。

請求項（抜粋）：

第一導電型の高比抵抗半導体層を有する基板上に、第二導電型のエピタキシャル層が形成され、該第二導電型のエピタキシャル層の表面から所定の深さに第二導電型の不純物が拡散された第二導電型不純物拡散層が形成されている受光素子であって、該第二導電型不純物拡散層は、該第二導電型のエピタキシャル層と、該第一導電型の高比抵抗半導体層との界面よりも深く形成されていることを特徴とする受光素子。

IPC (4件)：

H01L 27/14 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 Z , H01L 27/06 101 D , H01L 31/10 A

Fターム (28件)：

4M118AA10 , 4M118AB10 , 4M118BA02 , 4M118CA03 , 4M118EA01 , 4M118FC09 , 4M118FC18 , 5F049MA02 , 5F049MB02 , 5F049MB11 , 5F049NA03 , 5F049NB08 , 5F049PA09 , 5F049PA11 , 5F049QA14 , 5F049RA06 , 5F049SS03 , 5F049UA07 , 5F049UA13 , 5F082AA11 , 5F082BA02 , 5F082BA11 , 5F082BA22 , 5F082BA26 , 5F082BA47 , 5F082BC01 , 5F082BC11 , 5F082EA22

引用特許：

審査官引用 (4件)

回路内蔵受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-122054 出願人：シャープ株式会社
受光素子、光ピツクアツプ及び半導体装置製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342453 出願人：ソニー株式会社
特開昭62-131569

全件表示

前のページに戻る