半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-063437
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260649
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】不純物が添加されたシリコン領域の表面層に、安定して金属シリサイド層を形成することができる技術を提供する。【解決手段】シリコン基板表面の第1導電型のシリコン領域に、不純物濃度が第1の濃度になり、かつ注入深さが第1の深さになる条件で、第2導電型の不純物をイオン注入する工程と、シリコン領域に、不純物濃度が第1の濃度よりも低くなり、かつ注入深さが第1の深さよりも深くなる条件で、第2導電型の不純物をイオン注入する工程と、注入された不純物を活性化する熱処理工程と、シリコン領域を含むシリコン基板表面上に、シリコンと反応して金属シリサイドを形成する金属からなる金属膜を堆積する工程と、シリコン基板を加熱し、金属膜とシリコン領域との間でシリサイド反応を行わせ、金属シリサイド層を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

第1導電型のシリコン領域を有するシリコン基板表面の該シリコン領域に、不純物濃度が第1の濃度になり、かつ注入深さが第1の深さになる条件で、第2導電型の不純物をイオン注入する第1のイオン注入工程と、前記シリコン領域に、不純物濃度が前記第1の濃度よりも低い第2の濃度になり、かつ注入深さが前記第1の深さよりも深い第2の深さになる条件で、第2導電型の不純物をイオン注入する第2のイオン注入工程と、前記第1及び第2のイオン注入工程で注入された不純物を活性化する熱処理工程と、前記シリコン領域を含むシリコン基板表面上に、シリコンと反応して金属シリサイドを形成する金属からなる金属膜を堆積する工程と、前記シリコン基板を加熱し、前記金属膜と前記シリコン領域との間でシリサイド反応を行わせ、金属シリサイド層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/28 301 T

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-295237 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭62-229976
特開平2-239632

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