特許

J-GLOBAL ID：200903018164461949

絶縁ゲート形半導体素子

発明者： 村田 年生 ,  石子 雅康 ,  上杉 勉
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-118709
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294461
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】絶縁ゲート形半導体素子におけるオン電圧の低下。【解決手段】伝導度変調効果を利用したIGBTにおいて次の構成とした。n-形ベース層12、p形ベース層13において、チャネル形成領域以外の領域において、p+ 形コレクタ層10から注入された少数キャリアのホールの流路を狭くし、高抵抗であるn- 形ベース層12におけるn+ 形エミッタ層14に近い領域に少数キャリアを蓄積させる電気的絶縁領域の埋め込み酸化膜19を形成した。これにより、コレクタ層10から注入されたホールがn- 形ベース層12に蓄積される。この結果、エミッタ層14に近い領域のベース層において、少数キャリア濃度が向上する結果、伝導度変調度が高くなり、オン電圧が低下する。

請求項（抜粋）：

伝導度変調効果を利用した絶縁ゲート形半導体素子において、前記素子中のベース領域のチャネル形成領域以外の領域において、 コレクタから注入された少数キャリアの流路を狭くし、高抵抗ベース領域におけるエミッタに近い領域に前記少数キャリアを蓄積させる電気的絶縁領域を形成したことを特徴とする絶縁ゲート形半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/74

FI (4件)：

H01L 29/78 655 A ,  H01L 29/74 N ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 653 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 良好な導通特性を備えたMOS半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-157085   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 絶縁ゲート型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021577   出願人：三菱電機株式会社
• 縦型MISトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-121465   出願人：日本電装株式会社
• 高耐圧半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-332467   出願人：三菱電機株式会社