特許
J-GLOBAL ID：200903074988184038
良好な導通特性を備えたMOS半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157085
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008304
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【課題】 導通特性の優れたMOS半導体素子を提供すること。【解決手段】 第1の導電性タイプのソース領域と、第2の導電性タイプのベース領域を有し、前記両領域はソース端子と一緒に接続され、共通のpn-接合部を有し、第1の導電性タイプのベース領域を有し、該ベース領域は第2の導電性タイプのベース領域を備えたpn-接合部を有し、ゲート電極を有し、該ゲート電極は酸化膜のみによって第1の導電性タイプのベース領域1と第2の導電性領域のベース領域から分離され、前記第1の導電性タイプのベース領域は、2つのベース領域の間の接合部がゲート酸化膜のすぐ近くでのみ生じるように、絶縁層によって第2の導電性タイプのベース領域から分離させるように構成する。
請求項（抜粋）：
第1の導電性タイプのソース領域(3)と、第2の導電性タイプのベース領域(2)を有し、前記両領域はソース端子(S)と一緒に接続され、共通のpn-接合部を有し、第1の導電性タイプのベース領域(1)を有し、該ベース領域(1)は第2の導電性タイプのベース領域を備えたpn-接合部(6,6′)を有し、ゲート電極(G,4)を有し、該ゲート電極は酸化膜(OX)のみによって第1の導電性タイプのベース領域1と第2の導電性領域のベース領域(2)から分離されており、前記第1の導電性タイプのベース領域(1)は、2つのベース領域(1,2)の間の接合部(6′)がゲート酸化膜(GOX)のすぐ近くでのみ形成されるように、絶縁層(7)によって第2の導電性タイプのベース領域(2)から分離されていることを特徴とする、MOS半導体素子。
FI (2件)：
H01L 29/78 655 B
, H01L 29/78 653 C
